описание:Память R744G2606U1S-UO от AMD
Row Precharge Delay (tRP):18
Дополнительная информация:нет
manufacturerCountry:Тайвань (китай)
Модель:R744G2606U1S-UO
Объем одного модуля (ГБ):4
Напряжение (В):1.2
название:AMD DDR4 DIMM 4GB R744G2606U1S-UO PC4-21300, 2666MHz
высота(см):1
RAS to CAS Delay (tRCD):18