описание:Память QUM4U-4G2666C19 от производителя QUMO
Row Precharge Delay (tRP):19
Дополнительная информация:-
manufacturerCountry:Тайвань (китай)
Модель:QUM4U-4G2666C19
Объем одного модуля (ГБ):4
Напряжение (В):1.2 В (DDR4)
название:QUMO DDR4 DIMM 4GB QUM4U-4G2666C19 PC4-21300, 2666MHz OEM/RTL
высота(см):1
RAS to CAS Delay (tRCD):19