Samsung DDR5 SODIMM 8GB  DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Артикул:M425R1GB4BB0-CWM
Код товара:629225500
К сравнению
Напряжение (В):1.1
название:Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
RAS to CAS Delay (tRCD):-
gtdNumber:10005030/301123/5031268/002
Тайминги:-
Тип оборудования:Оперативная память
Поддержка Reg:Нет
Чип:-
Частота (MHz):DDR5 - 5600
Общий объем памяти (ГБ):8
Под заказ (запрашивайте)
3 000 0
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
72730051b0a7a53b2e54a38a18425dea
Описание
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Напряжение (В)
название
RAS to CAS Delay (tRCD)
gtdNumber
Тайминги
Тип оборудования
Поддержка Reg
Чип
Частота (MHz)
Общий объем памяти (ГБ)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Нормальная операционная температура (Tcase)
Количество чипов на модуле
Габариты (мм)
rusName
Расширенная операционная температура (Tcase)
Линейка
сайт производителя
Потребление энергии
Количество модулей в комплекте (шт)
Пропускная способность (МБ/с)
Производитель
Вес (грамм)
Поддержка ECC
гарантия
Высота (мм)
Тип модуля
Поддержка водяного охлаждения
CAS Latency (CL)
Радиатор
Низкопрофильная
Производитель
Количество контактов
Подсветка
описание
Row Precharge Delay (tRP)
Дополнительная информация
manufacturerCountry
Модель
Объем одного модуля (ГБ)